Im CVD-Verfahren, der
Chemical Vapor
Deposition, wird
Silizium aus der
Gasphase ausgeschieden.
Als Ausgangsmaterialien
werden Wasserstoff (H2)
und hochreines
Trichlorsilan (TCS)
eingesetzt, die bei
hoher Temperatur und
hohem Druck zu Silizium
reagieren.
Der Konverter wandelt
das im CVD-Prozess
entstehende
Siliziumtetrachlorid in
Trichlorsilan um,
welches wieder dem
Prozess zugeführt wird (geschlossener Kreislauf).